三星新晶圆生产线即将建成投产，用于制造 V-NAND 闪存芯片

4 月 16 日消息根据韩国媒体 BusinessKorea 报道，三星韩国平泽市晶圆加工厂的第二条生产线即将建成投产，预计于 2021 年 6 月初完成建设。生产线名称为 Pyeongtaek Plant 2 (P2)，紧靠早些时候建设的 P1 生产线。

三星电子位于平泽市的 P1 生产线于 2017 年开始投产，自从 2020 年下半年开始使用 EUV 工艺生产 10nm LPDDR5 内存等产品。新的 P2 生产线于 2018 年开始建设，同样具有先进制程芯片的制造能力，将会用于制造 V-NAND 闪存颗粒。官方表示，P2 生产线将于 2021 年下半年开始投产。

了解到，三星电子此前位于美国得州的晶圆代工厂因停电而不得不停产，加剧了全球芯片短缺的状况。平泽市 P2 生产线的建成，有望缓解目前全球芯片短缺问题。三星官方此前表示，今年的“不确定性”将持续，但全球芯片需求将会增加，将专注于开发第四代 10 纳米级 DRAM 和第七代 V-NAND。

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