TechPowerUp 报道称:在 3 月 21 - 24 日举办的英伟达 GPU 技术大会上,SK 海力士介绍了该公司最新研发的 HBM3 高带宽显存。作为 SK 海力士的第四代 HBM 产品,其在每个堆栈上使用了超过 8000 个硅通孔(TSV)。算上从 HBM2E 时代的 8-Hi 提升到 HBM3 的 12-Hi 堆栈,TSV 总数就超过了 10 万的级别。
视频截图(来自:SK Hynix)
在“完全堆叠”状态下,HBM3 高带宽显存可轻松达成 24GB 的容量,辅以较 HBM2E 翻倍的 16 通道架构 @ 6.4 Gbps 频率。
作为目前业内最为领先的高带宽显存产品,其有望进一步加速我们的数字生活体验 —— 比如近年来大热的 L4 / L5 级别的自动驾驶汽车系统。
此外随着数字化加速推动高性能计算(HPC)、人工智能(AI)、机器学习(ML)、以及高级驾驶辅助系统(ADAS)市场的增长,HBM3 有望在这一转型过程中发挥更大的作用。
显然,HBM3 不仅是一款高性能产品,还有望化解全球数据中心面临的共同问题 —— 目前服务器内存的功耗开销,约占总体的 20% 左右。预计到 2025 年,还可进一步上升至 35% 。
若顺利向 HBM3 转型,预计我们可到 2030 年将温室气体排放减少约 83 万吨。与此同时,SK Hynix 推出了 Memory Forest 。
作为该公司的最新举措之一,其展示了 SK 海力士致力于保护环境、创建可持续和创新的内存生态系统的承诺的决心。
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