高通公司上个月宣布的Snapdragon 835但没有进入细节 - 三星将在10nm过程中制造它,它“LL特征Quickcharge 4.0,即关于它的功能。好事,那里的GFXBench在SoC的内部揭示了一些光线。
对于一个,它包装了一个Octa核心CPU,达到高达2.2GHz。当前的Snapdragon 821具有一半的核心数,其中2个以2.35GHz计时,其他2位于2.2GHz。我们只能想象未来芯片的野兽将是8个Kryo核心。
我们不需要想象GPU性能,GFXBench有我们对我们的数字。Snapdragon 835开发板内的adreno 540优先于Android世界的所有当前主要参与者,也优于iPhone 7 Plus。虽然唯一的屏幕测试分数(以标准化的1080p分辨率)才能测量,并且测试的样本报告了QHD显示屏,因此这些FPS数字将在屏幕上进行丢弃。
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Snapdragon 835开发。董事会61.9苹果iPhone 7加60三星Galaxy S7 Edge(SD820)49 Oneplus 3T 49三星Galaxy S7 Edge(E8890)40 LG V20 40华为伴侣9 30 Meizu Pro 6 18更高越好
Snapdragon 835开发。板41.5苹果iPhone 7加39 oneplus 3T 33三星Galaxy S7 Edge(SD820)32三星Galaxy S7 Edge(E8890)29 LG V20 29华为伴侣9 22 Meizu Pro 6 11它可能值得一提的是,在SoC的发展中仍然是一个稍微早期的阶段,或者尚未实现它的最终形式。因此,实际商业设备可能与该开发单元不同。尽管如此,它是春天期望的良好迹象。
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