三星Galaxy S6包装下一个Gen UFS内存

韩国报纸etnews已经突出了一份报告，引用了三星内幕人士，他声称该公司将在即将到来的Galaxy S6中使用下一代NAND闪存存储。有问题的存储技术称为UFS 2.0，它代表通用闪存存储。

UFS可以达到类似SSD的传输速度，但与EMMC内存芯片等产品很便宜。实际上，它比EMMC存储器快三倍，转移速度高达1.2GB / s。功耗低于EMMC存储，赢得了电池耗尽或过热的导致电池。消息人士说，最近的UFS 2.0技术开发已导致EMMC 5.0的功耗的一半。

该标准由三星，诺基亚和Micron联合电子设备工程委员会（JEDEC）倡议于2007年制定。TOSHIBA和SK Hynix也参与了UFS 2.0内存的开发。预计三星将在未来几周内启动批量生产新的NAND闪存存储。

然而，三星不是独自这样做。据报道，Xiaomi在即将到来的产品中也使用UFS 2.0 NAND内存。三星非常意识到中国竞争对手的进步。公司现在是三星和苹果的第三位，虽然据报道，据据报道，Lenovo终于正式获得摩托罗拉，但据据据报道，据据报道，据据报道，苹果公司的市场份额。

除了智能手机之外，三星也将慢慢取代其与UFS技术的SD和MicroSD卡。其中的第一个很可能是银河系S6，然后是银河系4。

“UFS是明年智能手机业务的重要因素。我们将在旗舰智能手机上启动居中的应用，“三星股内的来源。“但是，我们无法披露任何细节，因为明年新智能手机发布的时间并没有完成了这种新模型的规格。”

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