华为宣布全面进入半导体领域

从去年开始，美国就开始修改规则，到今年中，美国共计修改三次规则，结果导致大量美国芯片企业以及使用美国技术的芯片企业不能自由出货，除非是拿到许可。

数据显示，美共计收到了4000多份申请，但仅通过了千余分申请，拿到许可的成功率并不高，像高通等多次申请均被拒绝了。

但现在情况出现了变化了，美国突然改口了，越来越多的企业拿到了许可，像索尼、豪威科技等都已经能够实现自由出货了。

消息称，美国之前规定，凡是出货均需要许可，没有许可的情况下，不能自由出货。

如今变成了，只要不是产品或者技术不用在5G设备上，就能够很快拿到许可，甚至是用在移动等设备上，也是可以的。

这意味着，越来越多的企业都能够拿到许可，毕竟高通也正式表态，再次申请许可，甚至台积电还开始再次申请许可，目的都是实现自由出货。

据了解，美突然改口，可能是因为压力大，毕竟其是主要的芯片、原材料以及技术的出口国，限制企业出货，自然导致企业压力大。

消息称这已经给半导体行业带来1500亿元美元的损失，同时，这些企业还面临巨大的库存压力。

另外，越来越多的企业都向美递交申请，希望自由出货，这无形之中也给美增加了压力。

华为也搞出芯片大动作

就在美国松口、改口之际，华为也搞出了芯片大动作。

据悉，华为mate40系列手机已经正式发布，但在华为Mate40系列手机上，华为采用了自研的闪存芯片，上面还带有华为海思的logo。

也就是说，华为海思不断完善芯片产业链，在更多的芯片上实现自研，而自研的屏幕驱动芯片，预计也会很快出现在华为手机上。

最主要的是，华为任正非发表了《向上捅破天，向下扎到根》的主题演讲。

任正非表示，华为今天遇到的困难，不是依托全球化平台，在战略方向上压上重兵产生突破，而有什么错误。而是我们设计的先进芯片，国内的基础工业还造不出来。

随后就有消息称，华为正计划在上海建设一家不使用美国技术的芯片制造工厂。

另外，来自供应商的消息称，华为计划投资200亿美元实现芯片自主生产制造。

据了解，华为将从45nm芯片开始， 2021 年底之前为 “物联网”设备制造 28 nm的芯片，并在 2022 年底之前为 5G 电信设备生产 20 nm的芯片。

华为搞出的这个芯片大动作，其实并不意外，毕竟在此之前，余承东就表示，华为以及国内厂商没有进入重资产的芯片制造领域，这是一个教训。

随后，余承东宣布全面进入半导体领域，而华为海思则面向全球招聘40余位芯片博士，预示着华为海思向IDM转型。

如今，任正非又表态，向上捅破天，向下扎到根，这明显是想完全掌握芯片技术，实现芯片自研自产。

情况出现变化了

就在华为加速向芯片领域全面进入之际，外部出现了变化，越来越多的企业表态，甚至拿到了许可，实现了自由出货。

例如，三星显示、索尼以及豪威科技等都实现了自由出货，而ASML将上市全新的DUV光刻机，而DUV光刻机直接向国内厂商出口是不要许可的。

另外，高通、台积电等也在申请许可，按照目前的情况来看，这两者实现自由出货的希望很大。

这对于华为而言，本身是却是一件好事，但华为也需要警惕，自研自产之路不能放松。

毕竟任正非都说了，华为以后不想再经历卡脖子的情况，自己造芯片必须做，还要实现的。

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