三星Galaxy S8据说用8GB RAM，UFS 2.1储存也是如此

根据中国的一个新的谣言，三星Galaxy S8将来自8GB的RAM，从6GB的P，我们到目前为止听到了。谣言以据说涉及三星相关泄漏的尖端的微博邮政的形式。

谣言指出，手机将运行内部SOC，使用10nm过程生产。它还表明，该设备将具有UFS 2.1闪存存储。

如果您错过了，韩国科技巨头本国最近的一份报告称，该手机将以两种尺寸有两种：约5英寸（Galaxy S8）和6英寸（Galaxy S8 Plus）。预计两者都将在4月份在纽约的活动中亮相。

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