高通公司即将到来的Snapdragon 835将有快速充电4

高通公司宣布将与三星合作，制造即将到来的Spandragon 835移动处理器。它将基于三星最新的10nm FinFET过程，使其成为其种类的最小。

根据Qualcomm的说法，新的10nm FinFET过程越高高达30％，效率越高，提高了27％的性能或功耗低40％。减少的占地面积将允许硬件制造商制作较小的设备或包括其他组件。

新处理器也将是第一个包含新的快速充电4。高通公司声称快速收费4提供了20％的充电，效率比快速充电30％，效率高于3，相应于其双电荷并行电荷技术。它还支持USB-C和USB电力传递标准，我们假设您将能够快速充电USB-PD设备，例如去年的Nexus和新像素电话，以及新的USB-C MacBook使用快速充电4充电器。

快速充电4包括用于最佳电压的第三代INOV或智能协商，现在提供实时热管理。高通公司还推出了两个新的电源管理IC，SMB1380和SMB1381，具有低阻抗，高达95％的峰值效率，以及电池差动传感等先进的快速充电功能。

Cappdragon 835预计将在2017年上半年进行设备。

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