比亚迪半导体：西安研发中心即将启用，计划发布全新 IGBT6.0 芯片

从比亚迪半导体获悉，比亚迪半导体在全国拥有五大研发及生产制造基地，分别是深圳、惠州、宁波、长沙、西安。其中，位于西安的半导体研发中心，将配备近千人的研发团队，是比亚迪半导体的全新研发基地。

比亚迪半导体表示，将充分利用西安在集成电路方面的人才资源、供应链资源及客户资源，主要从事功率半导体、智能传感器、智能控制 IC 等半导体产品的设计及服务。

继 2018 年在宁波发布 IGBT4.0 芯片技术后，比亚迪半导体已打磨出一款更高性能的 IGBT6.0 芯片，并计划于比亚迪半导体西安研发中心全新发布。

自 2002 年进入半导体领域以来，比亚迪半导体在 2009 年推出国内首款自主研发的 IGBT 芯片，2018 年推出 IGBT4.0 芯片。比亚迪半导体数据显示，截止 2020 年底，以 IGBT 为主的车规级功率器件累计装车超过 100 万辆，单车行驶里程超过 100 万公里。

比亚迪半导体透露，IGBT6.0 芯片采用新一代自主研发的高密度沟槽栅技术，相较同类产品在可靠性及产品性能上将实现重大突破。

作为电动车三电系统的控制核心，IGBT芯片是整车成本中仅次于动力电池的关键零部件。伴随新能源车销量的不断提升，各家车企对此的需求量也在逐步走高，并且IGBT芯片还有高功率直流充电桩的另一大出口。

而从去年开始的所有半导体的供货难，不仅影响到了所有车型必备的微电子芯片，同时也波及到了新能源车的功率芯片。如此大背景下，伴随新一代技术而来的生产环节提升就显得尤为重要。IGBT芯片良品率的提升，将有助于成本的降低，同时辐射到生产效率，为自动化生产线提升单位时间产能提供了良好的基础。所以，比亚迪IGBT 6.0不仅是一次技术突破，还是解决目前功率半导体市场较大缺口，未来获得更多客户的一大利器。

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