三星将提高非存储芯片领域投资：与台积电高通竞争，计划到 2030 年投入 1514 亿美元

5 月 13 日消息，据国外媒体报道，在芯片代工方面，虽然三星电子的份额与台积电相比有不小的差距，但在制程工艺方面，他们是唯一能基本跟上台积电节奏的厂商，7nm 和 5nm 制程工艺，量产时间都只是略晚于台积电。

谋求在芯片代工领域有更大作为的三星电子，在 2019 年年底就已计划在这一领域大力投资，当时外媒在报道中表示，三星电子计划在未来 10 年投资 1160 亿美元，大力发展芯片制造业务，进而为科技巨头们代工芯片。

而从外媒最新的报道来看，三星电子将提高在芯片代工等非存储芯片领域的投资。

外媒的报道显示，三星电子在周四表示，到 2030 年，他们将在非存储芯片领域投资 171 万亿韩元，折合约 1514.5 亿美元，较此前计划的 133 万亿韩元有明显增加。

从外媒的报道来看，三星电子是在一份声明中，宣布他们将加大在非存储芯片领域的投资的。增加投资，是希望在芯片代工方面同台积电展开竞争，与高通在智能手机处理器方面展开竞争。增加投资后，他们就将加速在先进芯片制程工艺方面的研发和生产线的建设。

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