英特尔将提前半年投放原定于2025年启用的芯片制造技术

经历了多年的制程迭代延期，芯片巨头英特尔现已决定将基于 18A 工艺的处理器制造计划，提前至 2024 年下半年。通过 Mod3 扩建计划，该公司正在扩建其位于俄勒冈州的 D1X 工厂。新建筑面积为 27 万平方英尺，用以安装最大的新芯片制造设备。

在帕特·基辛格去年重返公司并担任首席执行官之前，英特尔在制造现代化上已经长期落后于台积电（TSMC）和三星。

随着新 CEO 的上任，英特尔终于重新制定了路线图，并将于四年内带来五次制造工艺的改进 —— 分别为 Intel 7、Intel 4、Intel 8、以及 Intel 20A 和 Intel 18A 。

每一次制程工艺的迭代，都会带来功耗性能方面的积极改进。而为此砸下数百亿美元的英特尔，显然希望在 2024-2025 年间实现赶超，并通过将芯片制造业重心从亚洲拉回美国本土以重现辉煌。

在俄勒冈州新命名的戈登摩尔园区（Gordon Moore Park），英特尔开设了致力于下一代制造工艺的新芯片制造工厂。与此同时，其 D1X 晶圆厂也投入了 30 亿美元的 Mod3 扩建资金。

取得成功之后，英特尔有望在全球布局的晶圆厂内推广 D1X 工艺。如果能够在 2024 下半年顺利提前完成预定目标，这对该公司的代工业务部门来说也是个好兆头。

为了从台积电和三星那边挖来芯片代工业务，英特尔已透露 IFS 客户能够用上该公司的 Intel 3 和 Intel 18A 工艺。今年 2 月，帕特·基辛格展示过基于测试芯片的 18A 晶圆，但尚未披露其进展的更多细节。

言归正传，新建的 27 万平方英尺 Mod3 大楼具有足够高的天花板、以及足够坚固的地板，能够容纳用于将电路蚀刻到晶圆硅片上的最新机器。

英特尔逻辑技术发展副总裁 Ryan Russell 指出，经过数月的处理步骤，这些微芯片就可完成交付。

最后，尽管在先进的极紫外光刻工艺方面，英特尔一度落后于台积电 / 三星。但随着爱尔兰 Fab34 工厂完成了首套 EVU 设备的安装，意味着该公司将奋起直追。

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