Kirin 9010的谣言建在3纳米的表面上，但这没有发生（今年）

Weibo正在谈论Huawei的Hisilicon是在开发其下一代芯片组的先进阶段，这将在3nm节点上制造。这样的来源似乎是泄露的瞬间（rodent950），他们被称为芯片kirin 9010。

虽然华为（以及所有其他芯片组制造商）无疑是为3米未来规划的，而那些真的是未来的计划而不是今年晚些时候 - TSMC表示，它计划在2022年的下半年开始批量生产3nm芯片。TSMC是下一个柯林芯片最有可能的铸造厂，特别是如果要建立在切削刃节点上。

无论如何，TSMC的3nm节点或“N3”作为公司称之为，令人印象深刻。它将增加70％的晶体管密度，随着现代芯片组已经拥有超过10亿晶体管，这是重要的。

根据预测，新节点将带来25-30％的省电和适度的10-15％的性能增加。但是，这是一个简单的骰子缩小，由于新节点允许更多晶体管填充到芯片中，基于N3的芯片组将更快。

因此，不关注华为P50将使用Kirin 9010的谣言。如果存在这样的芯片，这一芯片不会首先出现，这绝对不是3nm部分。

此外，TSMC在工作中有一个N4过程，其中一个人将在2022年初进入批量生产。我们必然会在N3到达之前看到一些N4芯片组。

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