三星电子新 NAND 闪存产能上线，有望进一步压低 NAND 价格

据 Digitimes 报道，业内消息人士透露，三星电子在今年下半年陆续提高新 NAND 闪存的产能，引发了市场观察人士对潜在供应过剩的担忧。

256GB 和 512GB TLC NAND 闪存的合约价格在前两个季度上涨后，从去年第四季度开始缓慢下跌，其中，256GB 的合约价格在一周内从 4.48 美元跌至 4.40 美元。消息人士称，由于笔记本和手机零部件短缺，影响了存储设备的需求。

“随着整体内存需求减弱，三星电子在中国和韩国工厂进行的 NAND 闪存产能扩张预计将进一步压低 NAND 价格，TLC NAND 产品的现货市场价格将承受最大冲击。”消息人士补充说道。

据了解，三星电子位于西安的工厂从去年开始量产 96 层 V-NAND（月产能 12 万片），目前该工厂正在将 128 层 NAND 的部分新产能商业化，一旦产能全开，月产能将达到 13 万片。此外，消息人士称三星电子也将于今年下半年在其位于韩国平泽的 PS2 工厂批量生产其最新的 176 层 NAND 闪存。

但内存模块制造商指出，NAND 闪存现在是买方市场，因此三星电子预计不会充分利用其新产能批量生产所有 NAND 产品，而是可能会更专注于通过技术升级提高其产量，坚持价格底线并追求更高的盈利能力。

与此同时，全球第二大 NAND 供应商铠侠已重启 IPO 项目，预计将于 11 月份上市。但消息人士指出，市场需求下降和 NAND 闪存合同价格下跌是影响其 IPO 价格的负面因素。

另外，消息人士表示：“美光自 2020 年 11 月开始批量生产 176 层 3D NAND 闪存，这将给三星电子带来竞争压力，可能促使三星电子通过更具成本效益的生产提高其 128 层 NAND 产品的出货率。”

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