中微公司董事长尹志尧：目前国产设备采购比例仍处于较低水平，发展空间广阔

（原标题：尹志尧：国产设备发展空间广阔，中微公司将从三个维度扩展业务布局）

8 月 25 日，中微公司在上证路演平台举办 2021 年半年度业绩说明会。其中，中微公司董事长、总经理尹志尧，副总经理、财务负责人陈伟文以及董事会秘书、副总裁刘晓宇出席本次说明会。

中微公司是一家以中国为基地、面向全球的高端半导体微观加工设备公司，为全球集成电路和 LED 芯片制造商提供极具竞争力的高端设备和高质量的服务。

中报数据显示，今年上半年，中微公司实现营业收入约 13.39 亿元，同比增长 36.82%；归属于上市公司股东的净利润约 3.97 亿元，同比增长 233.17%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润约 6161.52 万元，同比增长 53.35%。其中，上半年刻蚀机设备销售额 8.58 亿元，同比增长 83.8%。

在毛利率方面，上半年整体毛利率 42.3%，同比增长 8.4 个百分点。其中，刻蚀机设备毛利率为 44.3%，MOCVD 毛利率增加 18.8 个百分点至 30.8%。

对于全球半导体设备市场的现状，尹志尧指出，全球经济增速放缓，半导体行业尤其是半导体设备行业却逆势上涨。据 SEMI 预测，全球半导体设备将持续增长，2021 年将增长 12%，达到 797 亿美元。等离子体刻蚀设备以最快的速度成长，2021 年市场规模预计达到 179 亿美元。中国芯片生产自主供给比例持续提升，从 2010 年的 10.2% 提升到 2025 年的 19.4%。目前，国产设备采购比例仍处于较低水平（2020 年占采购总额的 7%），未来国产设备发展空间广阔。

产品开发方面，在逻辑集成电路制造环节，中微公司开发的 12 英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户 65 纳米到 5 纳米等先进的芯片生产线上；同时，中微公司根据先进集成电路厂商的需求，已开发出小于 5 纳米刻蚀设备用于若干关键步骤的加工，并已获得行业领先客户的批量订单。在 3D NAND 芯片制造环节，中微公司的电容性等离子体刻蚀设备可应用于 64 层和 128 层的量产；此外，中微公司的电感性等离子刻蚀设备已经在多个逻辑芯片和存储芯片厂商的生产线上量产。

据介绍，中微公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从 65 纳米到 14 纳米、7 纳米和 5 纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。中微公司 MOCVD 设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，中微公司已成为世界排名前列的氮化镓基 LED 设备制造商。

值得一提的是，2021 年 6 月 17 日正式发布用于高性能 Mini-LED 量产的 MOCVD 设备 Prismo UniMax，目前该设备在客户端进度良好且已取得行业领先客户批量订单。中微公司目前有部分 Mini-LED MOCVD 设备规模订单也已进入最后签署阶段。

对于公司未来发展，尹志尧表示，将从三个维度扩展业务布局：深耕集成电路关键设备领域、扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会。在集成电路设备领域，中微公司将持续强化在刻蚀设备领域的竞争优势，并延伸到薄膜、检测等其他关键设备领域；中微公司计划扩展在泛半导体领域设备的应用，布局显示、MEMS、功率器件、太阳能领域的关键设备；中微公司拟探索其他新兴领域的机会，利用好设备及工艺技术，考虑从设备制造向器件大规模生产的机会，以及探索更多集成电路及泛半导体设备生产线相关领域的市场机会。

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