三星Galaxy S6 Edge +在GeekBench上有4GB RAM

三星的谣言工厂最近一直在银河系中搅拌英特尔，但银河系S6边缘+也有其公平的关注。有趣的是，以前建立了关于双边Phablet的大量内容即将转向灰尘，因为新信息保持浮出水面。

这个最新的位是由Geekbench条目提供的，这些条目指出了Galaxy S6 Edge +内的芯片组是家用酿造的Exynos 7420，在较小的Galaxy S6边缘和其普通的银河S6内部发现。到目前为止，泄漏器一直朝向S6边缘+的Snapdragon 808芯片组倾斜，具有用于注释5的更新的Exynos 7422。

是的，这不是我们听到三星自己的SOC第一次，而是越南的最新传闻不是任何有形证据支持的，所以我们有点持怀疑态度。

基准清单符合RAM的那种匿名来源，引用4GB金额。然而，这两个启示都与一些用户代理配置文件中的规格发生冲突，这将只是很好，如果它没有在同一用户代理配置文件中提到的microSD插槽上的阴影。

无论哪种方式，所有这一切都将在8月13日结算，当下一个三星未包装的事件被举行时，窗帘将被拉动到Galaxy Note 5旁边的Galaxy S6边缘+。

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