Digitimes 盘点晶圆厂技术指标，三星 3nm 密度不及英特尔 7nm

7 月 13 日消息 供应链媒体Digitimes 今日整理了三大晶圆厂以及 IBM 在 10nm、7nm、5nm、3nm、2nm 的技术指标（晶体管密度）演进对比图。

科普：晶体管密度即芯片上每平方单位晶体管数，此处对比的是每平方毫米晶体管数量。

Digitimes 指出，英特尔此前声称台积电的 7nm 制程与其 10nm 制程相当，从技术角度而言这可能是真的，虽然英特尔还没有真正超过台积电，不过三星的工艺是真的水。

了解到，三星曾多次宣布他们带领台积电推出了更先进的工艺技术，但最终未能争取到关键客户。

对于代工行业来说，比竞争对手先一步推出更先进的工艺节点并不一定意味着商业上的成功。尤其是良率、厂商与供应商的合作关系以及与客户的共同技术开发的作用在其中也发挥着相当重要的作用。

在 10nm 节点上，台积电实现了每平方毫米 5300 万晶体管密度，而三星的晶体管密度为 5200 万个，但英特尔的 10nm 节点可达 1.06 亿的晶体管密度，这甚至比台积电和三星的 7nm 的 9700 万和 9500 万还要高。

众所周知，哪怕英特尔技术指标不虚台积电，他最终也没有赢得客户的青睐，甚至在台积电和三星实现 5nm 之时才真正量产出 10nm 的处理器。

当然，对比工艺水准只看晶体管密度肯定是片面的。而且目前英特尔的主要问题是量产困难、客户信任以及实际收益率，毕竟三星报价远低于业界水准，性价比更高。

英特尔的 7nm 技术（预计 2022 年底或 2023 年初）目标是实现每平方毫米接近 1.8 亿个晶体管的高标准，但这只是一个基准，目前看来并不具有商业可行性。

而台积电似乎在技术上领先三星越来越远，其 5nm 工艺实现了 1.73 亿个晶体管的密度，这与英特尔 7nm 的 1.7 亿目标相当，且超过了三星 3nm 的 1.7 亿的密度自夸。

3nm 太遥远，此处不再提及，Digitimes 绘制了如下对比图，各位小伙伴可权作参考：

值得一提的是，台积电也是第一家将 EUV 设备大量装机生产的企业。据称，在全球生产的 EUV 设备中，有一半以上被台积电拿下，而台积电也正藉此生产着全球 70% 以上的芯片，使其牢牢占据着 55% 的代工市场份额，并吃下了超过 80% 的全球代工收入。

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