台积电首次披露2nm关键指标：带来史上最大飞跃

台积电今天线上举办2021年度技术研讨会，公布了未来新工艺进展，6nm、5nm、4nm、3nm、2nm都有新消息传来。

2nm目前是各大半导体巨头角逐的制高点，IBM甚至已经在实验室内搞定，率先公布了2nm芯片，而除了台积电、三星两大代工巨头，欧洲、日本也在野心勃勃地规划。

不同于之前世代在相同的基础架构上不断演进，台积电的2nm工艺将是真正全新设计的，号称史上最大的飞跃，最大特点就是会首次引入纳米片(nanosheet)晶体管，取代现在的FinFET结构。

台积电表示，纳米片晶体管可以更好地控制阈值电压(Vt)——在半导体领域，Vt是电路运行所需的最低电压，它的任何轻微波动，都会显著影响芯片的设计、性能，自然是越小越好。

台积电宣称，根据试验，纳米片晶体管可将Vt波动降低至少15％。

目前，台积电的2nm工艺刚刚进入正式研发阶段，此前消息是2023年试产、2024年量产。

　　版权及免责声明：凡本网所属版权作品，转载时须获得授权并注明来源“物联之家 - 物联观察新视角,国内领先科技门户”，违者本网将保留追究其相关法律责任的权力。凡转载文章，不代表本网观点和立场。

延伸阅读