赛微电子拟投资 10 亿元建设 6-8 英寸硅基氮化镓功率器件

4 月 3 日消息，近日北京赛微电子股份有限公司发布了关于与青州市人民政府签署《合作协议》的公告。公告中显示赛微电子拟在青州经济开发区发起投资 10 亿元分期建设聚能国际 6-8 英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目，总占地面积 30 亩，一期建成投产后将形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圆 5000 片 / 月的生产能力，二期建成投产后将形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圆 12000 片 / 月的生产能力，将为全球 GaN 产品客户的旺盛需求提供成熟的技术支持和产能保障。

据了解，GaN（氮化镓）属于第三代半导体材料，第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石等，因其禁带宽度（Eg）大于或等于 2.3 电子伏特（eV），又被成为宽禁带半导体材料，与第一、二代相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。

公司已于 2018 年 7 月在青岛市崂山区投资设立 “青岛聚能创芯微电子有限公司”，主要从事功率与微波器件，尤其是氮化镓（GaN）功率与微波器件的设计、开发；已于 2018 年 6 月在青岛市即墨区投资设立 “聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司”，主要从事半导体材料，尤其是氮化镓（GaN）外延材料的设计、开发、生产，该公司投资建设的第三代半导体材料制造项目（一期）已于 2019 年 9 月达到投产条件，正式投产。作为公司 GaN 业务一级平台公司，聚能创芯汇聚了业界领先团队，拥有第三代半导体材料生长、工艺制造、器件设计等全产业链技术能力及储备，且截至目前在 6-8 英寸硅基 GaN 外延晶圆、GaN 功率器件及应用方面已形成系列产品并实现批量销售。

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