SK 海力士：未来十年将研发 10nm 以下 DRAM 和 600 层 NAND

3 月 25 消息，据国外媒体报道，SK 海力士是全球重要的存储芯片制造商，他们在去年 10 月份同英特尔达成了协议，将以 90 亿美元收购英特尔大部分的 NAND 闪存及存储业务，收购之后就将超过日本的 Kioxia，成为仅次于三星的全球第二大 NAND 闪存制造商，并会缩小与三星的差距。

除了通过收购扩大规模、获得知识产权及研发人员，SK 海力士也在致力于研发更先进的 DRAM 和 NAND 产品。

韩国媒体的报道显示，在 2021 年 IEEE（电气电子工程师学会）国际可靠性物理研讨会上发表演讲时，SK 海力士 CEO 李锡熙（Lee Seok-Hee）就表示，在未来十年，他们将致力于克服材料、结构和可靠性方面的挑战，开发 10nm 以下工艺的 DRAM 和 600 堆叠层的 NAND。

在报道中，韩国媒体表示，研发 10nm 以下工艺的 DRAM，要求 SK 海力士等半导体厂商，克服光刻技术方面的挑战。

在 NAND 方面，SK 海力士已经研发出了 176 层堆叠的 3D NAND。

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